MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用
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概要
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MONOS不揮発性メモリのプログラム特性の窒化膜成膜条件依存性を調べた.窒化膜中のSi-H結合密度及びN-H結合密度とプログラム特性を比較することにより, プログラム速度(dV_<th>/dt)とSi-H結合密度が比例することが明らかになった.この結果に基づき, プログラム特性のトラップ密度依存性を定量的に説明できるプログラム特性の解析モデルを構築した.本モデルと実験結果の比較よりトンネル障壁高さ及び窒化膜の電子捕獲効率が求められた.また, 本モデルをトンネル絶縁膜として窒化膜を用いたMONSメモリに応用し, 従来のMONOSメモリと比較して高速のプログラムが可能であることを定量的に示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
野本 和正
ソニー(株)マテリアル研
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小林 敏夫
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
小林 敏夫
ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
-
野本 和正
ソニー株式会社中央研究所
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野本 和正
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
青笹 浩
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
-
藤原 一郎
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
寺野 登志夫
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
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青笹 浩
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
青笹 浩
ソニー(株)
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