シリコンドットTFTメモリー
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概要
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石英基板上に、シリコンドットアレイを浮遊ゲートに用いた新規なシリコン薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。シリコンドットを作製するために、SiO_2の化学量論組成からずれたシリコンリッチな酸化膜にエキシマレーザーアニールを行い、Si相とSiO_2相に相分離することによりSiO_2中にシリコンドットを析出させるという方法を新たに開発した。作製された素子は、室温において、ポリシリコンチャネルから注入された電子によりシリコンドットが帯電したことによると思われる明瞭なヒステリシス特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
川島 紀之
ソニー株式会社先端マテリアル研究所融合領域研究部
-
野本 和正
ソニー株式会社先端マテリアル研究所融合領域研究部
-
野本 和正
ソニー(株)マテリアル研
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
平 健一
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
野本 和正
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
川島 紀之
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
野口 隆
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
碓井 節夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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