Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
Si MOSおよびSOIトランジスタ応用に対しての紫外光レーザーアニールによる接合形成技術に関して述べる。Si LSI中のサブ0.1μm MOSトランジスタでは、十分なオン電流を確保し短チャネル効果を抑えるために、低抵抗の超浅接合が要求される。Siに対して高い吸収をもつ均一なビームによるエキシマレーザーアニールは、TFTを用いるAM-FPDにおいてと同様に、Siマイクロエレクトロニクスにおいても浅い接合ドーピングプロセスとして期待される。また、活性化したSi表面を非接触で評価できる有効な方法を提案し述べる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-06-23

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク