青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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青色半導体レーザによる薄膜シリコンの結晶化を検討した。レーザの照射条件(強度、走査速度)等の変更で、結晶粒径の制御ができ、低い強度のレーザ照射では、加熱により均一に核発生するため、(111)方向優先の微細結晶化が起こる事がわかった。
- 2012-04-20
著者
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
鈴木 俊治
琉球大学工学部
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
白井 克弥
琉球大学工学部
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器(株)
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器(株)
-
Mugiraneza J.
琉球大学工学部
-
松島 英樹
日立コンピュータ機器
-
佐保田 英二
日立コンピュータ機器
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器
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