MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析(プロセス科学と新プロセス技術)

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概要

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MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多数のサンプルに対しゲート電圧依存性を抽出し、キャリアの捕獲・放出過程を考察した。捕獲過程のゲート電圧依存性は、キャリアとトラップの距離はSiO_2/Si界面とトラップの最短距離ではなく、キャリアの存在するパーコレーションパスとトラップの距離とトラップのエネルギ準位から決定される。放出過程はゲート電圧により、キャリアがSi基板側に抜けるもの、ゲート電極側に抜けるもの、電圧により放出先を変えると考えられるものが観測された。時定数を広範囲かつ正確に抽出し捕獲・放出時定数を個別に議論することがRTNの解析では重要となる。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2013-10-10

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