29a-WB-3 アルカリC60(A3C60)固体の電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-03-16
著者
-
谷垣 勝己
Nec基礎研究所
-
谷垣 勝己
Nec基礎研
-
廣沢 一郎
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)
-
広沢 一郎
NEC
-
広沢 一郎
Nec分析評価センター
-
広沢 一郎
Jasri
-
廣沢 一郎
高輝度光科学研究センター(spring-8)
-
廣沢 一郎
(財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i
-
廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学研究センター
-
広沢 一郎
Necデバイス評価技術研究所
-
廣沢 一郎
NEC材料部品分析評価センター
関連論文
- リートベルト, MEM解析による (La_Sr_)MnO_, (Ba_Sr_) (Co_Fe_)O_ の混合伝導に関する研究
- 29p-D-3 MEMによるLi_2CsC_, K_2RbC_, Rb_2CsC_の電子密度分布
- 2a-S-4 X線回折によるアルカリ金属ドープC_60の電子密度
- 2a-S-3 Li_2C_sC_60の構造
- 28a-YK-4 Rb_3C_超伝導体の分子内振動の温度依存性
- 28a-YK-3 Na2AC60(A=Cs, Rb, K)超伝導体における相転移
- 28a-YK-2 A_2RbC_のEXAFS
- 29a-C-4 Na_xCs_yC_超伝導体の構造と物性
- 27a-J-9 A_B_xC_(A, B=Li, Na, K, Rb, Cs)の構造と超伝導転移温度の関係
- PC01 微小角入射X線回折による液晶配向膜の極角方向の分子配向の検討(ディスプレイ)
- 放射光を用いた高炭素鋼線のX線構造解析
- 放射光を用いたその場観察手法によるGA合金化初期反応解析
- 放射光を用いたGA合金化反応のその場観察
- 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 23aTA-9 カーボンナノウォールの成長機構と構造(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1a-C-10 Cs_1C_の電子状態
- PC05 薄膜の屈折率異方性の高速測定方法(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- アルカリ金属をインターカレートしたC_の^C-NMR
- C60超伝導体におけるscおよびfcc相の状態密度
- 29a-J-11 Li2AC60(A=CsおよびRb)の構造と電子物性
- 29a-J-7 A_1C_60(A=Rb, Cs)のNMR
- 29a-WB-8 C_化合物中の分子運動
- 29a-WB-3 アルカリC60(A3C60)固体の電子状態
- 13p-B-4 A_xB_C_結晶中でのC_分子の方向
- 13p-B-3 アルカリ金属ドープC60物質におけるf.c.c.構造の格子定数
- 29a-C-5 A_xB_C_の構造
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 23aTG-12 カーボンナノウォールの成長過程と構造(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 6p-D-7 A_3C_のNMR
- 22aTD-4 カーボンナノウォールの成長過程と構造評価(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 可視および赤外分光エリプソメトリーによる液晶配向膜の異方性測定
- 放射光利用の基礎と SPring-8 : 工業材料への利用を中心にして
- 液晶配向膜の表面異方性
- ラビングしたポリイミド膜のイミド化率と分子配向がネマティック液晶のプレティルト角に与える影響
- 5a-D4-3 電子散乱のfocusing
- 5p-T-3 クラスタ固体における伝導電子の挙動
- 6p-D-5 (Mol@A)_xC_物質の構造と物性
- 炭素系クラスタ物質
- フラーレン(C60およびナノチューブ)研究の展開
- 31p-D-5 アルカリ金属C60伝導体における電子相関 : 3次元A3C60相の異常性と低次元AlC60相のSDW転移
- 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
- 29p-ZB-1 回折XAFS-"DAFS"-
- SR-X線で見た半導体界面の再配列構造
- 5P-E-4 Molecular Beam Deposition SiO_2/Si(111)の再配列構造
- 26a-P-9 a-Si/Si(111)-7x7,a-Si/Ge_Si_(111)-5x5 の界面超構造
- 1p-C-6 A_2B C_のアルカリイオンの位置選択性についての考察
- 29a-J-8 アルカリドープC_602価化合物:NaCsC_60
- 多入射方位による光学異方性物質の反射偏光同時測定
- C60・フラ-レンの構造と物性 (C60・フラ-レンの可能性) -- (研究最前線)
- 26p-M-11 Snクラスレート物質の合成と性質
- 1p-YX-6 Na_Ba_8Si_の合成と物性
- BaxGe46の構造と物性
- 29p-J-3 シリコンクラスレートの合成と物性
- 発見された炭素系新素材
- 3-2b ラビング処理条件による液晶配向膜の膜構造変化とプレチルト角の関係
- 2PC17 偏光計測によるTNセルの平均的TBA測定
- 2PC02 配向膜高速広範囲評価法の検討
- PCb01 透過光偏光解析によるツイスト角及びセルギャップ測定法の検討
- PCa02 TFTパネル1画素以上の空間分解能をもつ液晶配向膜評価技術
- PCa01 実パネル上配向膜の光学的異方性測定成功
- PCb01 赤外エリプソメトリによる配向膜評価の検討
- 3A02 反射光偏光異方性測定によるポリイミド分子配向のラビング強度依存性の測定
- 1p-C-5 アンモニア法により合成される高品質Cs_3C_の構造と物性
- 29p-D-4 K_3C_のNMR
- フラーレン: C60およびナノチューブ新しい炭素の形態
- 世界最大の放射光施設 SPring-8
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- タイトル無し