30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-03-16
著者
-
谷垣 勝己
Nec基礎研究所
-
谷垣 勝己
NEC 基礎研
-
エブソン トーマス
NEC 基礎研
-
藤田 淳一
Nec基礎研究所
-
藤田 淳一
Nec基研
-
藤田 淳一
Nec 基礎研
-
日浦 英文
NEC 基礎研
-
日浦 英文
NECナノエレ研
-
日浦 英文
Nec基礎研
関連論文
- 29a-C-4 Na_xCs_yC_超伝導体の構造と物性
- 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 1a-C-10 Cs_1C_の電子状態
- 26pA-6 実時間位相制御原子ホログラフィー
- アルカリ金属をインターカレートしたC_の^C-NMR
- C60超伝導体におけるscおよびfcc相の状態密度
- 29a-J-11 Li2AC60(A=CsおよびRb)の構造と電子物性
- 29a-WB-8 C_化合物中の分子運動
- 29a-WB-3 アルカリC60(A3C60)固体の電子状態
- 13p-B-4 A_xB_C_結晶中でのC_分子の方向
- 13p-B-3 アルカリ金属ドープC60物質におけるf.c.c.構造の格子定数
- 29a-C-5 A_xB_C_の構造
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 6p-D-7 A_3C_のNMR
- 25p-YQ-13 Gray Scale Atom Holography
- 原子線ホログラフィ- (特集 干渉計の最近の動向)
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- 5p-T-3 クラスタ固体における伝導電子の挙動
- 6p-D-5 (Mol@A)_xC_物質の構造と物性
- 炭素系クラスタ物質
- フラーレン(C60およびナノチューブ)研究の展開
- 31p-D-5 アルカリ金属C60伝導体における電子相関 : 3次元A3C60相の異常性と低次元AlC60相のSDW転移
- 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
- 分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
- 27p-J-12 フラーレン、カーボン・ナノチューブの合成と生成機構
- 集束イオンビームによるナノ立体構造作製とその機械的特性 (特集 ナノテクノロジー)
- C60・フラ-レンの構造と物性 (C60・フラ-レンの可能性) -- (研究最前線)
- 26p-M-11 Snクラスレート物質の合成と性質
- 1p-YX-6 Na_Ba_8Si_の合成と物性
- BaxGe46の構造と物性
- 29p-J-3 シリコンクラスレートの合成と物性
- 原子線ホログラフィー
- 原子線ホログラフィー
- 29p-J-4 ナノスケール磁性体の磁気特性 II
- 26p-YJ-1 ナノスケール磁性体における磁気特性
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 1p-C-5 アンモニア法により合成される高品質Cs_3C_の構造と物性
- カーボンナノチューブの電子応用(ナノテクノロジ実装技術)
- 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
- タイトル無し
- デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発 (特集 創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性)