分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 日浦 英文

  NEC 基礎研

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 日浦 英文

  NECナノエレ研

• 日浦 英文

  Nec基礎研

関連論文

• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
• 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
• 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
• 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
• 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
• B-9-5 高信頼通信用機器コンポーネントおよびLayer2プロトコルを用いた緊急時の電源・通信確保(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
• 分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
• カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
• CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
• 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
• 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
• 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
• 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
• 27p-J-12 フラーレン、カーボン・ナノチューブの合成と生成機構
• 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
• B-9-5 Layer 2プロトコルを用いた機器電源制御(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
• B-9-10 PoE拡張機器を用いた省エネサービス(B-9. 電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発 (特集 創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク