カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
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概要
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カーボンナノチューブ(CNT)をトランジスタ材料として用いるためには、位置、直径、半導体/金属分離などの特性制御が必須であるとされている。しかし、あまりにターゲットのサイズが小さい(∿1nm)のために、従来の半導体リソグラフィ手法などの様なデバイス化技術としての要求を満たす方法はほとんど提案されていない。そこで、CNT成長に用いる触媒微粒子の位置と直径を、直接リソグラフィを用いて制御できる新しい微粒子合成法Lithographically anchored nanoparticle synthesis (LANS)を開発し、CNT成長を行った。その結果、ほとんど単層ナノチューブのみを基板の特定の位置に配置することに成功した。
- 2005-02-24
著者
-
二瓶 史行
NEC基礎研
-
本郷 廣生
NEC基礎研
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
石田 真彦
NEC基礎・環境研究所
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
-
Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
-
本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研
-
二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
-
Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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