Coulomb Blockade of Two Quantum Dots in Series
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1994-09-15
著者
-
二瓶 史行
NEC基礎研
-
NIHEY Fumiyuki
NEC Fundamental and Environmental Research Laboratories
-
Hwang S
Semyung Univ. Chungbuk Kor
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
-
Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
-
Hwang Sungwoo
Nec Fundamental Research Laboratories
-
SAKAMOTO Toshitsugu
NEC Fundamental Research Laboratories
-
NAKAMURA Yasunobu
NEC Fundamental Research Laboratories
-
NAKAMURA Kazuo
NEC Fundamental Research Laboratories
-
Nakamura Y
The Authors Are With Fujitsu Laboratories Limited
-
二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
-
Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
関連論文
- カーボンナノチューブ技術 (ナノテクノロジー特集) -- (ナノテクノロジー基盤技術)
- 17pTJ-2 フラーレン内包単層カーボンナノチューブの電界効果
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- アンチドット格子中の複合フェルミオン
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホール液体転移
- 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 1a-M-4 周期構造を有するメソスコピック系における電気伝導の数値解析
- 27p-P-5 アンチドット構造におけるアハロノフ-ボーム効果
- 27a-B-7 磁場下二次元周期系における電気伝導現象の数値解析
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 29p-ZK-9 アンチドット構造における磁気輸送現象
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- Diameter-Controlled Carbon Nanotubes Grown from Lithographically Defined Nanoparticles
- 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
- 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
- 31p-YA-6 アンチドット系の量子輸送現象(実験的側面)
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
- 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
- Electron and Ion Energy Distribution Functions in Slide-Away Regime of TRIAM-1 Tokamak
- Measurements of the Dispersion Relation of the Low-Frequency Ion Acoustic Instability in the Turbulently Heated TRIAM-1 Tokamak Plasma
- Correlated Electron-Trapping Events in a One-Dimensional Channel
- Coulomb Blockade of Two Quantum Dots in Series
- Measurements of Reflection Coefficient of Ion Waves in an Ion Beam-Plasma System
- Waveform of Linear Ion-Acoustic Waves Excited by a Mesh Grid
- Reflection of Ion Waves from a Bipolar Electrode in an Ion Beam-Plasma System
- Intermittent Automodulation Observed in Fe-3% Si Reeds
- Resonance Curves Obtained in the Vibration of Fe-3% Si Reeds
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- Structure and Resonant Characteristics of Amorphous Carbon Pillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- A Novel Solid-State Quantum Bit in Single-Cooper-Pair Device
- Coulomb Blockade in Resistively Coupled Single-Electron Transistor : Dependence on Bias Conditions
- Implementation of Single-Electron Transistor with Resistive Gate
- Observation of Coulomb Blockade in Resistively Coupled Single Electron Transistor
- Crystal Structures and Phase Transformation in In_2Se_3 Compound Semiconductor
- Realization of Giant Optical Rotatory Power for Red and Infrared Light using III_2VI_3 Compound Semiconductor (Ga_xIn_)_2Se_3
- Surface Smoothness and Step Bunching on GaAs (111)B Facets Formed by Molecular Beam Epitaxy
- Formation of Two-Dimensional Electron Gas in N-AlGaAs/GaAs Heterojunctions on (111)B Microfacets Grown by Molecular Beam Epitaxy on a Patterned (001) Substrate
- Photoconductive Decay Measurements on Semiconducting Black Phosphorus Crystals
- Photoconduction of Black Phosphorus in the Infrared Region
- Modulated Structure of the High-T_c Superconductor Bi-Pb-Ca-Sr-Cu-O Studied by High-Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction
- Superspace Group Analysis of the Modulated Structure in Superconductor Bi-Sr-Ca-Cu-O
- Modulated Structure of High-T_c Superconductor Bi-Ca-Sr-Cu-O Studied by High-Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction : Electrical Properties of Condensed Matter
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
- High Resolution Electron Microscopy of Crystal and Defect Structures of the High-T_c Superconductor Ba_2YCu_3O_
- 「カーボンナノチューブ発見10周年記念つくばシンポジウム」に参加して
- NEC カーボンナノチューブの研究で先行 (特集 21世紀超未来技術が世界を変える ナノテクノロジーの衝撃) -- (Interviews ニッポン・ナノテク最前線)
- 12. PbTe/Pb_Sn_xTe超格子における強磁場量子輸送現象(大阪大学大学院理学研究科物理学専攻,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
- 最新開発事例 カーボンナノチューブトランジスタ (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 化けた電子のAB効果--複合フェルミオンの量子干渉 (特集 メゾスコピック物理への招待)
- アンチドット系 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (3.磁場中の量子輸送現象)
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホ-ル液体転移
- Numerical Studies on Quantum Transport in Antidot Arrays in Magnetic Fields
- A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Teansistor with a Titanium-Dioxide Insulator
- プリンタブルCNT薄膜トランジスタ
- 100-K Operation of Al-Based Single-Electron Transistors
- Analysis of Optimal Feedback Control of Vertical Plasma Position in a Tokamak System
- Trapped Electron Effect on Turbulent Heating by Low Pulsed Electric Field in Tokamak Plasma
- Effective Application of Turbulent Heating to High Density Tokamak Plasma
- Relaxation of Ion Energy Spectrum Just after Turbulent Heating Pulse in TRIAM-1 Tokamak
- Onset of Current-Driven Turbulence on Application of a Low Toroidal Electric Field
- Time Behaviours of Visible Lines in Turbulently Heated TRIAM-1 Plasma
- Temporal Evolutions of Electron Temperature and Density of Turbulently-Heated Tokamak Plasmas in TRIAM-1
- Si In-Plane Floating-Dot Memory with a Single Electron Transistor
- Spatial Distributions of Individual Traps in a Si/SiO_2 Interface
- Spatial Distributions of Individual Traps in a Si/SiO_2 Interface
- 特集8 : 研究解説 : 2次元周期ポテンシャル下の2次元電子ガスの磁気輸送現象
- 1200 Dots-Per-Inch Light Emitting Diode Array Fabricated by Solid-Phase Zinc Diffusion
- 1200 DPI Light Emitting Diode Array for Optical Printer Print Heads
- Diameter-Controlled Carbon Nanotubes Grown from Lithographically Defined Nanoparticles
- Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors with Very High Intrinsic Transconductance
- Individual Carrier Traps in GaAs/Al_xGa_As Heterostructures (Special Issue on Quantum Effect Devices and Their Fabrication Technologies)
- 9aSE-1 サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)