A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Teansistor with a Titanium-Dioxide Insulator
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概要
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We developed a carbon-nanotube field-effect transistor (CNTFET), in which a gate electrode and a gate insulator are located on top of a semiconducting single-wall carbon nanotube channel on a Si/SiO_2 substrate. The gate insulator is made of titanium dioxide and is 2-3 nm thick. The transconductance of this device at a drain voltage of 100 mV is 320 nS, which, due to the high dielectric constant and nanoscale thickness of the gate insulator, is higher than that of any back-gate and top-gate CNTFETs reported so far.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-10-01
著者
-
二瓶 史行
NEC基礎研
-
Hongo Hiroo
Fundamental Research Laboratories Nec Caporation
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
-
Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
-
Iijima Sumio
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
Hongo H
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
-
Yudasaka Masako
Japan Science And Technology Corporation Nec Corporation
-
Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
HONNGO Hiroo
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Honngo Hiroo
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Iijima Sumio
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation:japan Science And Technology Corporation Nec Corpo
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