ゲート絶縁膜におけるRIEダメージからの回復(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE(Reactive Ion Etching)ダメージの影響がより顕著になってきている。特にメモリデバイスにおいてはゲート絶縁膜がプラズマに晒されることにより、電気的信頼性は影響を受ける。我々はRIEによるSiO_2膜の劣化要因を探ると共に、ダメージの回復手法を見出した。SIMS,XPS,XRR分析の結果、RIE直後において表層にハロゲン化合物が付着しており、これを除去した後に酸化することでダメージの回復が可能であることが判明した。また、その酸化手法についても水蒸気ラジカル酸化が回復に有効であることを明らかにした。
- 2009-10-22
著者
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赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
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永嶋 賢史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
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川田 宣仁
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
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市川 徹
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
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永嶋 賢史
(株)東芝セミコンダクター社先端メモリ開発センター先端メモリインテグレーション開発部
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赤堀 浩史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センターインテグレーション・計測システム技術開発部
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