メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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ELK(Extremely Low-k, k=2.4)を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は以下の通りである。1)プロセスダメージ抑制と、リソグラフィマージンを確保しつつビア-配線間スペースを拡げるために、高強度なELK膜とメタルハードマスク(MHM)セルフアラインビアプロセス技術を開発。このプロセスにより、ELK膜の性能を最大限引き出した超低容量特性とビア付配線間TDDBの高信頼性を両立した配線を実現。2)チップパッケージ耐性を向上させるために、ELKとライナー絶縁膜間の新規界面制御技術を開発。その結果、チップパッケージに対しても高信頼性化を実現。本プロセスは高い生産性を有しており、今後の32nm以細多層配線に有望なプロセスであることを実証した。
2011-01-31

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