野口 充宏 | (株)東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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野口 充宏
(株)東芝セミコンダクター社
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野口 充宏
株式会社東芝セミコンダクター社
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野口 充宏
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著作論文
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
- NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)