インバースモデリングによる半導体中の不純物拡散モデルパラメータの最適化
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概要
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Optimization of impurity diffusion parameters in silicon. is investigated. Number of parameters is four by using Fair's diffusion model. Levenberg-Marquard (LM) method and genetic algorithm (GA) are studied. Using LM method after sufficient optimization by GA yields always stable and good results with sacrifice of enormous computation time. A new method is proposed which repeats only two-generation of GA and LM. The new method yields much smaller computation time without losing optimization accuracy.
- 近畿大学工業高等専門学校の論文
著者
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
-
高嶋 航大
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系
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高嶋 航大
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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