三次元プロセスシミュレーション(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(<特集>電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
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概要
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半導体の三次元プロセスシミュレーション技術に関して, 数値解析技術に課題があり, 研究開発が遅れていたが, 近年になってようやく実用に近いものが発表されるようになってきた.本稿では, プロセスシミュレーションにおける物理化学モデルを概説した後, 数値解析技術の中で特に移動境界及びメッシュの自動発生に関して, 技術・課題をやや詳細に述べる.その後, トランジスタ, メモリセル及び配線形状と, テクノロジーとして代表的な3分野を例に取り, 三次元でのプロセスシミュレーション例を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-25
著者
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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西 謙二
半導体先端テクノロジーズ基礎技術研究部
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