28pRF-3 Siへの高濃度Bドーピング : 実験からのアプローチ(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

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