田上 政由 | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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概要
関連著者
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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NECエレクトロニクス(株)
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
日本電気株式会社
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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中沢 絵美子
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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北野 友久
日本電気(株)
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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金子 尚史
(株)東芝セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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側瀬 聡文
東芝株式会社
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社
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山下 創一
(株)東芝セミコンダクター社
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羽多野 正亮
(株)東芝セミコンダクター社
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和田 純一
(株)東芝セミコンダクター社
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用正 武
(株)東芝セミコンダクター社
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今水 健太郎
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 雅基
(株)東芝セミコンダクター社
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蓮沼 正彦
(株)東芝セミコンダクター社
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高橋 新吾
ソニー(株)
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山田 敦彦
ソニー(株)
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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渡邊 桂
東芝株式会社
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亀嶋 隆季
ソニー株式会社
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増田 秀顕
東芝株式会社
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島田 美代子
東芝株式会社
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中村 直文
東芝株式会社
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宮島 秀史
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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成瀬 宏
東芝
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金子 尚史
(株)東芝 Ul研
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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古谷 晃
NEC
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線