林 喜宏 | NEC シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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井上 尚也
NEC シリコンシステム研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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林 喜宏
日本電気株式会社
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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林 喜宏
Nec シリコンシステム研究所 超高集積回路研究部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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高橋 宗司
NECシリコンシステム研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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藤井 清
NECエレクトロニクス
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古谷 晃
NEC
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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高橋 宗司
Nec
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
- 次世代LSIデバイス技術の将来展望とCMP技術への期待
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価