小野寺 貴弘 | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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概要
関連著者
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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大阪府立大学工学部情報工学科
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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東北大
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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木下 啓蔵
NEC
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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小林 一雄
株式会社 岡本工作機械製作所
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小林 一雄
(株)岡本工作機械製作所
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左光 大和
(株)岡本工作機械製作所
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山本 栄一
(株)岡本工作機械製作所
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田中 潔
(株)岡本工作機械製作所
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佐々木 直樹
(株)岡本工作機械製作所
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栗野 元一郎
(株)岡本工作機械製作所
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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小林 一雄
岡本工作機械製作所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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NECシリコンシステム研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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NECELプロセス技術事業部
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NECELプロセス技術事業部
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NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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NECELプロセス技術事業部
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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児玉 光測
(株)岡本工作機械製作所
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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NEC Electronics Corporation
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田村 貴央
Necel
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシステムデバイス基礎研究本部
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宇佐美 達也
NEC先端デバイス開発本部
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廣井 政幸
NECシステムデバイス基礎研究本部
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利根川 丘
NEC先端デバイス開発本部
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柴 和利
NEC先端デバイス開発本部
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斎藤 忍
NECシステムデバイス基礎研究本部
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川原 潤
NECシリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシリコンシステム研究所
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斉藤 忍
NECシリコンシステム研究所
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小野寺 貴弘
NECシリコンシステム研究所
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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古谷 晃
NEC
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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高橋 宗司
Nec
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価