古武 直也 | Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

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概要

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関連著者

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 井上 尚也

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 川原 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 植木 誠

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  日本電気株式会杜

• 関根 誠

  名古屋大学

• 関根 誠

  名大

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 井上 尚也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 古武 直也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECシステムデバイス研究所

• 井上 尚也

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 阿部 真理

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 齋藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 吉木 政行

  NECシステムデバイス研究所

• 山本 博規

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  Necエレクトロニクス

• 肱岡 健一郎

  青山学院大学電気電子工学科

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 齋藤 忍

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 山本 博規

  NECシステムデバイス研究所

• 川原 潤

  NECシステムデバイス研究所

• 笠間 佳子

  NECELプロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 戸原 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 井上 尚也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 大竹 浩人

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 新井 浩一

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 成広 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小田 典明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小田 典明

  Necエレクトロニクス(株)

• 川原 潤

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  NEC

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 川原 潤

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 絵美子

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 田村 貴央

  Necel

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 廣井 政幸

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 岡田 紀雄

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 吉木 政行

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 木下 啓蔵

  半導体先端テクノロジーズ

• 久米 一平

  Necエレクトロニクス

• 久米 一平

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• 笠間 佳子

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

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• 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
• プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制

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