五十嵐 信行 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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五十嵐 信行
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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五十嵐 信行
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
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植木 誠
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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愛媛大学工学部機能材料工学科
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上田 修
株式会社富士通研究所材料・環境技術研究所
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東京大学大学院新領域創成科学研究科
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桑野 範之
九州大学先端科学技術共同研究センター
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市野瀬 英喜
東京大学
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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仲井 清眞
愛媛大学 大学院理 工学研究科
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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中村 吉男
東京工業大学大学院
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中村 吉男
東京工業大学・工学部
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東京工大・工
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中村 吉男
東京工業大学大学院理工学研究科
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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辻 智
日本アイ・ビー・エム株式会社APTO品質
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冨田 雅人
ユーニング研究所
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藪内 康文
株式会社松下テクノリサ一チ
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上田 修
株式会社富士通研究所
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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寺島 浩一
日本電気
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辻 智
日本アイ・ビー・エム株式会社大和事業所
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辻 智
日本アイ・ビー・エム(株) ディスプレー・テクノロジー
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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藪内 康文
株式会社松下テクノリサーチ
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辻 智
日本アイ・ビー・エム(株)
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中村 吉男
東京工業大学
著作論文
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 特集企画にあたって
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜