林 喜宏 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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大竹 浩人
東北大
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小林 一雄
株式会社 岡本工作機械製作所
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小林 一雄
(株)岡本工作機械製作所
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左光 大和
(株)岡本工作機械製作所
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山本 栄一
(株)岡本工作機械製作所
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田中 潔
(株)岡本工作機械製作所
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佐々木 直樹
(株)岡本工作機械製作所
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栗野 元一郎
(株)岡本工作機械製作所
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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小林 一雄
岡本工作機械製作所
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斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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中島 務
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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児玉 光測
(株)岡本工作機械製作所
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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岸田 俊二
日本電気株式会社
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木下 啓蔵
NEC
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小林 明子
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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新澤 勉
日本電気株式会社
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菅井 和己
日本電気株式会社
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小林 明子
日電アネルバ株式会社
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中島 努
日本電気株式会社
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岡林 秀和
日本電気株式会社
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八子 忠明
住友化学工業株式会社
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恒成 欣嗣
日本電気株式会社
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村尾 幸信
日本電気株式会社
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岸田 俊二
日本電気(株)材料部品分析評価センター
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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HAYASHI Yoshihiro
Device Platforms Research Labs., NEC.
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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Hayashi Yoshihiro
Nec Corporation
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Hayashi Yoshihiro
LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan
著作論文
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 0.1μm ULSI世代の超微細アルミニウム多層配線を実現するAl-CMP技術
- 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
- 3. 45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制