3. 45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術(<小特集>次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)

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概要

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• 45nm/32nm世代LSIでは,多層配線の層間絶縁膜には,自己整合反応を利用してナノレベルで空孔構造が制御された多孔質Low-k膜が導入される.また,Cu配線金属もナノレベルの構造制御がなされる. 45nm/32nm世代LSIデバイスの高性能化及び高信頼性化には,材料物理化学に基づいた材料物性制御が必要不可欠となる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-03-01

著者

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

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