低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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高信頼性Cuダマシン配線の形成を目的として,酸素吸収プロセスによる低酸素Cu合金配線の検討を行った.酸素吸収プロセスは,Cuやバリアメタルよりも酸化反応が生じやすい金属薄膜を酸素吸収膜としてメッキCu膜表面に形成することにより,Cu膜中や表面の酸素を吸収し,高品質なCu/バリアメタル界面を得る技術である.本プロセスの適用により,バリアメタルの酸化抑制と,Cu配線のストレス誘起ボイド耐性向上を確認した.低酸素Cu合金を用いた45nm世代対応Cuデュアルダマシン配線において,低容量化を実現しつつ十分な配線性能が得られることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-30
著者
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
成広 充
NECシステムデバイス研究所
-
阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
-
林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
-
関根 誠
名古屋大学
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
関根 誠
名大
-
大竹 浩人
東北大
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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