C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
池田 秀寿
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
-
武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
-
野村 昌弘
STARC
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
野村 昌弘
Nec
-
野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
-
池田 秀寿
中央大学
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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