野村 昌弘 | Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

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関連著者

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 野村 昌弘

  Nec

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 池田 秀寿

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 池永 佳史

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 池田 秀寿

  中央大学

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著作論文

• 3.ディジタル集積回路における素子ばらつきの影響と対策(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
• C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)

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