武田 晃一 | NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

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概要

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関連著者

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 池田 秀寿

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 池田 秀寿

  中央大学

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 宮村 信

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 宮村 信

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 野村 昌弘

  Nec

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• C-12-36 微細CMOS大容量SRAMの高速化のための差動構成オフセットキャンセル型センスアンプ(DOCSA)(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
• 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CT-2-1 エンベッデッドRAMの現状と将来技術(CT-2.半導体メモリと周辺システムの融合,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)

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