池田 秀寿 | NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

スポンサーリンク

概要

• 池田 秀寿の詳細を見る
• 同名の論文著者
• NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所の論文著者

関連著者

• 池田 秀寿

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 池田 秀寿

  中央大学

• 高窪 統

  中央大学理工学部

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 高窪 統

  中央大学 理工学部

• 高窪 統

  中央大学

• 高窪 かをり

  明治大学

• 高窪 かをり

  東海大学

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 萩原 靖彦

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  NECシステムデバイス研究所

• 萩原 靖彦

  NECシステムデバイス研究所

• 池田 秀寿

  NECシステムデバイス研究所

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  Nec

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

もっと見る 閉じる

著作論文

• C-12-36 微細CMOS大容量SRAMの高速化のための差動構成オフセットキャンセル型センスアンプ(DOCSA)(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
• 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン(新メモリ技術とシステムLSI)
• リファレンス回路を適用したCMOS温度-電圧変換回路
• MOSFETのドレイン電流温度依存性を利用したオンチップ温度センサ

スポンサーリンク