自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(V_<DDmin>)の低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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電荷注入によってトランジスタ間のランダムしきい値ばらつきを減らし、CMOSロジック回路の最低可動電圧を低減させる手法について提案を行う。この手法を用いるため、組み合わせ論理回路中にスイッチを挿入しラッチが形成できるような回路を提案する。また、ループの形成の方法、ループ内のゲート段数、一回の電荷注入あたりのしきい値電圧の変化量、電荷注入の試行回数に関してシミュレーションで最適化を行った。最後に、65nmCMOSプロセスを用いて試作を行った96段インバータチェーン回路において最低可動電圧が低減した実測結果を示す。
- 2011-08-18
著者
-
高宮 真
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
池内 克之
東京大学
-
野村 昌弘
STARC
-
桜井 貴康
東大
-
桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
-
野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
-
本田 健太郎
東京大学生産技術研究所
-
池内 克之
東京大学生産技術研究所
-
桜井 貴康
東京大学 生産技術研究所
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