部分空乏型SOI MOSFETの過渡応答を用いたサブバンドギャップインパクトイオン化電流の高感度測定法
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概要
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低消費電力化に向けた薄膜SOIデバイスの応用には、低電圧領域における基板浮遊効果、特にシリコンのサブバンドギャップ領域におけるインパクトイオン化の影響の解明が急務である。しかし、これまでの直接ボディ電流を測定する方法ではその電流感度に律則されるという問題があった。本研究では部分空乏型SOI MOSFETを用いて、その過渡応答からインパクトイオン化電流を高感度に測定する方法を開発した。その結果、従来の直接ボディ電流を測定する方法と非常に良い一致を示し、さらにサブバンドギャップ領域においてより高感度な測定が可能となり、50fA以下という非常に微小なインパクトイオン化電流のモニタに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
高宮 真
東京大学
-
高宮 真
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
トラン・ゴック デュエト
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
-
更屋 拓哉
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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