基板バイアス効果の大きい高性能EIB-DTMOSの提案と実証
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概要
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基板バイアス効果が大きく低Vthの超低消費電力高性能Electrically Induced Body (EIB)-DTMOSを提案し, デバイス試作により実証した. EIB-DTMOSはSOI中のバック界面に電気的に誘起した急峻なプロファイルの高濃度ボディ(EIB)と薄膜SOIにより, 基板バイアス効果を最大にすることが出来る. 複数のDTMOSをシミュレーションで比較した結果, アキュミュレーションモードEIB-DTMOSはVthシフトが最大かつ短チャネル効果を抑制するため, 一定オフ電流で1駆動力が最大であることを示した. 従ってアキュミュレーションモードEIB-DTMOSは0.5V以下での超低電源電圧において高駆動力と低リーク電流を両立する高性能MOSFETである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
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