VTCMOSにおける基板バイアス係数と基板電位の最適条件とそのスケーリング
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概要
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Variable Threshold CMOS (VTCMOS)の特性に基板バイアス係数γ、基板電位V_〈bs〉が及ぼす影響をシミュレーションにより求め、スタンバイ電流が一定の時、最も駆動力が大きくなる条件について考察した。γ一定(デバイス固定)の時、駆動力を最大にするにはV_〈bs〉を耐圧限界まで変化させると良い。一方、耐圧等で|ΔV_〈bs〉|の上限が決まっている時は、駆動力を最大にするγの値は V_〈bs〉の値に依存する。またVTCMOSのscalabilityについてシミュレーション、実測双方から考察した。|V_〈bs〉|の値を大きくするとBTBT(Band-to-Band-Tunneling)電流が流れる為VTCMOSの基板電位の値にはスタンバイ時のオフ電流を最小にする最適値が存在する。VTCMOSの技術を最大限に生かすにはBTBT電流を抑えることが必要であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-13
著者
-
高宮 真
東京大学
-
高宮 真
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
-
犬飼 貴士
東京大学 生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
-
小宇羅 寛
東京大学 生産技術研究所
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