C-12-17 CMOS論理ゲートの最低可動電圧(V_<DDmin>)の決定要因の分析(デジタル集積回路,C-12.集積回路,一般セッション)

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概要

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• 2011-08-30

著者

• 高宮 真

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 高宮 真

  東京大学生産技術研究所

• 飯田 智士

  東京大学

• 安福 正

  東京大学

• 平入 孝二

  STARC

• 野村 昌弘

  STARC

• 桜井 貴康

  東大

• 更田 裕司

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学工学系研究科生産技術研究所

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 飯田 智

  東京大学

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