Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_<eff>=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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プラズマ共重合技術によりlow-kキャップからハードマスクまで一括成長させたFull Low-k/Cu配線(k_<eff>=2.75)を実現した.直鎖状シロキサン原料から形成されるsilica-amorphous-carbon-composite (SACC)-SiOCH膜(k=3.1,E=20GPa)をキャップ膜に適用し,Cu表面酸化抑制のためのプラズマ処理と組み合わせることでCu拡散バリア性を確保した.従来構造と比較して12%の異層間容量の低減と,EM寿命(T_<0.1>)の5倍改善を確認した.プラズマ共重合技術を用いたlow-k一括成膜技術は32nmノード以降の低コスト・高性能LSIを実現するうえで有望な技術である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-02-01
著者
-
植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
植木 誠
日本電気株式会杜
-
植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
川原 潤
Necエレクトロニクス
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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