密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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32nm世代以降のULSI多層配線における配線間容量の低減と絶縁信頼性の向上を目標とし、プラズマ共重合技術を用いた密度変調Low-k膜を開発した。6員環状型ビニルシロキサンと直鎖ビニルシロキサンを気化させて反応室に供給し、RFプラズマによって絶縁膜を堆積した。供給原料の比率を変化させることで膜強度と比誘電率を広範囲に制御できることがわかった。このようなプラズマ共重合技術を用いて、原料比率を連続的に変化させることで密度変調Low-k膜を形成した。プラズマ共重合プロセスを用いて形成した密度変調Low-k膜に、100nmピッチ、50nmφビアのデュアルダマシンCu配線を形成した。微細な配線が高精度に形成できることを確認し、L/S=50/50nmにおいてスケーラブルな配線性能を得た。また、配線間隔50nmにおける配線間リーク電流は、密度変調膜の導入によって低減した。これは、真空一括の連続成長によってLow-k絶縁膜界面の欠陥を低減できたためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-29
著者
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
-
山本 博規
NECシステムデバイス研究所
-
伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
-
成広 充
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
NECシステムデバイス研究所
-
井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
-
阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
-
古武 直也
NECシステムデバイス研究所
-
小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
-
川原 潤
NECシステムデバイス研究所
-
笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
-
泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
-
戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
-
関根 誠
NECELプロセス技術事業部
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
関根 誠
名古屋大学
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
関根 誠
名大
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
川原 潤
Necエレクトロニクス
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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