成広 充 | NECシステムデバイス研究所
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概要
関連著者
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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大竹 浩人
東北大
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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植木 誠
日本電気株式会杜
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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深井 利憲
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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田村 貴央
Necel
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成