新井 浩一 | NECシステムデバイス研究所
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概要
関連著者
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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新井 浩一
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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NECシリコンシステム研究所
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武藤 信彦
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武藤 信彦
Necシリコンシステム研究所
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畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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森本 倫弘
NECシステムマイクロ事業部
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諏訪園 忍
NECシステムマイクロ事業部
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織原 弘三
NECシリコンシステム研究所
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穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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諏訪 園忍
NEC
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寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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武藤 信彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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新井 浩一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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織原 弘三
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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森本 倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
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寺西 信一
Nec
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寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
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寺西 信一
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武藤 信彦
松下電子工業
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新井 浩一
Nec シリコンシステム研究所
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武藤 信彦
NEC シリコンシステム研究所
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田村 貴央
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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河合 真一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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河合 真一
NECシリコンシステム研究所
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内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
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村上 一朗
NEC
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内海 浩昭
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
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冨留宮 正之
Nec
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内海 浩昭
Nec シリコンシステム研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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加藤 聰
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大竹 浩人
東北大
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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田中 敬訓
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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加藤 聰
NECシリコンシステム研究所
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佐藤 高
マイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 映一
システムマイクロ事業部
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河野 明啓
NEC
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佐藤 高
NEC
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冨留 宮正之
NEC
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南 数馬
NEC
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田邊 顕人
NEC
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田中 敬訓
NEC
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浦山 洋治
NEC
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竹内 映一
NEC
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南 数馬
日本電気株式会社
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竹内 映一
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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田村 貴央
NEC Corporation
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田村 貴央
Necel
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加藤 聡
Nec
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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浦山 洋治
NECシリコンシステム研究所
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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河野 明啓
NEC システムマイクロ事業部
著作論文
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)