川上 幸也 | Nec シリコンシステム研究所
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概要
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川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
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武藤 信彦
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武藤 信彦
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Nec
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内海 浩昭
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村上 一朗
NEC ULSIデバイス開発研究所
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川崎 澄
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中野 隆
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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田邊 顕人
日本電気株式会社
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内海 浩昭
Nec シリコンシステム研究所
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打矢 聡
NEC システムマイクロ事業部
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小川 智弘
NECULSIデバイス開発研究所
著作論文
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 8)2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ
- 9)2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
- 7)HDTV用200万画素FIT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- 5-11 CCDイメージセンサにおける水平駆動電圧低減の検討
- 23-4 表面チャネルCCDにおける転送時間
- 新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD