23-4 表面チャネルCCDにおける転送時間
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概要
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The carrier transit time T in SCCD is evaluated mainly numerical simlation. The results obtained are (1) the gate length L dependency is T ∝ exp (αL) at L ≳ 20μm, while T ∝ L^n according to Carnes et al, and (2) T has a minimum value, when L is around the gate oxide thickness.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-28
著者
-
武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
武藤 信彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
-
川上 幸也
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
寺西 信一
松下電子工業
-
武藤 信彦
松下電子工業
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