17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
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概要
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A high-sensitivity 1/4" 250k pixel Interline Transfer CCD (IT-CCD) image sensor has been developed. To achieve high-sensitivity, high-energy ion implantation process is adopted for photodiode (PD) formation. According to device simulation results, transfer gate (TG) and channel stop (CS) length are reduced to increase saturation signal. Sensitivity improvement of 35% are obtained, as well as 100mV saturation signal. Low smear level of -95dB is also achieved.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-07-27
著者
-
村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
-
冨留宮 正之
日本電気株式会社
-
畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
-
武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
-
河合 真一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
織原 弘三
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
森本 倫弘
NECシステムマイクロ事業部
-
諏訪園 忍
NECシステムマイクロ事業部
-
穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
河合 真一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
諏訪園 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
織原 弘三
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
南 数馬
日本電気株式会社
-
冨留宮 正之
NECULSIデバイス開発研究所
-
森本 倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
-
畑野 啓介
NECULSIデバイス開発研究所
-
南 数馬
NECULSIデバイス開発研究所
-
穂苅 泰明
NECULSIデバイス開発研究所
-
川上 幸也
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中野 隆
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 一朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
武藤 信彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
河野 明啓
NECシステムマイクロ事業部
-
武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
寺西 信一
松下電子工業
-
武藤 信彦
松下電子工業
-
河野 明啓
NEC システムマイクロ事業部
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