単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
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概要
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A 1/2-inch 1.3M-pixel progressive scan interline-transfer charge-coupled device (IT-CCD) image sensor has been developed for low power and high sensitivity digital cameras. A new technology of the single layer poly-Si electrode with 0.25 μm gap was used to reduce fabrication process steps and the power consumption. An original pixel layout and a self-aligned photodiode structure make it possible to achieve a progressive scan pixel with well-controlled photodiode readout characteristics. The device achieved a low driving voltage (2.1 V) on a horizontal CCD at a frequency of 24.5 MHz. An output 3-stage source follower amplifier with new multi-oxide transistors, whose gate insulator thickness is thinner than that of a CCD register, enables to attain 17% higher gain than that of the conventional amplifier. The total fabrication process steps were successfully reduced and power consumption was reduced to 70% compared with the conventional 3-layer poly-Si electrodes device.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-03-26
著者
-
村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
-
冨留宮 正之
日本電気株式会社
-
畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
-
畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
冨留宮 正之
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
中柴 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
-
山田 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
村上 一朗
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
川崎 澄
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
中柴 康隆
Nec 先端デバイス開発本部
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