最上 徹 | 日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
著作論文
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- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響