成廣 充 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所
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概要
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成広 充
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著作論文
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- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成