関根 誠 | NECエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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関根 誠
名古屋大学
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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関根 誠
名大
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大竹 浩人
東北大
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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川原 尚由
NECエレクトロニクス(株)
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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角原 由美
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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川原 尚由
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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植木 誠
日本電気株式会杜
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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黒川 哲也
NECエレクトロニクス(株)
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側瀬 聡文
東芝株式会社
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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井村 裕則
Necエレクトロニクス(株)
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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渡邊 桂
東芝株式会社
-
亀嶋 隆季
ソニー株式会社
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増田 秀顕
東芝株式会社
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島田 美代子
東芝株式会社
-
中村 直文
東芝株式会社
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宮島 秀史
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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上野 和良
Necエレクトロニクス(株)
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吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
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鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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北野 友久
日本電気(株)
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成瀬 宏
東芝
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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田上 政由
日本電気(株)
-
國嶋 浩之
NECエレクトロニクス(株)
-
曽祢 修次
NECエレクトロニクス(株)
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大西 貞之
NECエレクトロニクス(株)
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山田 健太
NECエレクトロニクス(株)
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林 善宏
日本電気(株)
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
-
横川 慎二
電気通信大学
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
竹脇 利至
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
鈴木 三恵子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
豊嶋 宏徳
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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土屋 楽章
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
-
泰地 稔二
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
-
関根 誠
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
角原 由美
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
黒川 哲也
Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部
-
土屋 秀昭
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 45nm CMOSアプリケーション毎の配線構造最適化のための設計コンセプト:ASIS(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- コンタクト底部のSi表面状態によるコンタクト抵抗の劣化