横川 慎二 | Necエレクトロニクス株式会社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
横川 慎二
NECエレクトロニクス
-
横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
-
横川 慎二
電気通信大学
-
横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
加藤 一郎
NECエレクトロニクス株式会社
-
藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
-
土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
著作論文
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- 5-1 HfSiOxによる仕事関数制御MOSトランジスタにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(セッション5「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
- 多層ダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価
- 2.1 p-MOSFETにおけるNBTIによる劣化予測モデルに関する一考察(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-1 p-MOSFET における NBTI による劣化予測モデルに関する一考察