シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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シングルダマシン構造配線におけるエレクトロマイグレーションの基礎特性について報告する。抵抗変化測定に基づく測定においては、明確な抵抗変化のIncubation timeが観察された。観測されたエレクトロマイグレーション発生のしきい条件、配線長と電流密度の積は5900A/cmである。観測されたCu/SiN界面拡散の活性化エネルギーは0.89±0.07eVである。この活性化エネルギーは、皮膜されていないCu表面拡散の活性化エネルギーと一致する。ただし、SiN皮膜によりドリフト速度は減少する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
電気通信大学
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