横川 慎二 | Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

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概要

• 同名の論文著者
• Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 岡田 紀雄

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 相澤 宏一

  NEC Electronics Corporation

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 井口 学

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 相澤 宏一

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 渡部 忠兆

  株式会社東芝半導体研究開発センター

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 井口 学

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 相澤 宏一

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 渡部 忠兆

  株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

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著作論文

• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
• 多層ダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価

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