上野 和良 | Necエレクトロニクス(株)

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概要

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関連著者

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 恒成 欣嗣

  日本電気株式会社

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 齋藤 武博

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小田 典明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 川野 連也

  NECエレクトロニクス

• 小田 典明

  Necエレクトロニクス(株)

• 井村 裕則

  Necエレクトロニクス(株)

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 川野 連也

  Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 菊田 邦子

  ULSIデバイス開発研究所

• 中島 務

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 上野 和良

  ULSIデバイス開発研究所

• 上野 和良

  Nec・ulsiデバイス開発研究所

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス

• 大音 光市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 田上 政由

  日本電気(株)

• 國嶋 浩之

  NECエレクトロニクス(株)

• 曽祢 修次

  NECエレクトロニクス(株)

• 大西 貞之

  NECエレクトロニクス(株)

• 山田 健太

  NECエレクトロニクス(株)

• 林 善宏

  日本電気(株)

• 恒成 欣嗣

  NEC

• 吉川 公磨

  NEC

• 菊田 邦子

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 恒成 欣嗣

  日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部

• 上野 和良

  日本電気ULSIデバイス開発 研究所高集積技術開発部

• 大音 光市

  日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

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著作論文

• アルミリフロースパッタ埋め込みとCMPによる溝配線形成
• ULSI微細Cuダマシン配線の応力誘起ボイドに関する3-D弾塑性有限要素解析
• 45nm CMOSアプリケーション毎の配線構造最適化のための設計コンセプト:ASIS(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• セルフアラインプラグを有する0.25μm埋め込み配線
• 微細Cu溝配線技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• MOCVD-TiNバリヤ膜を用いたCu溝配線

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