恒成 欣嗣 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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恒成 欣嗣
日本電気株式会社
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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上野 和良
Necエレクトロニクス(株)
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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岸田 俊二
日本電気株式会社
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小林 明子
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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新澤 勉
日本電気株式会社
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菅井 和己
日本電気株式会社
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小林 明子
日電アネルバ株式会社
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中島 努
日本電気株式会社
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岡林 秀和
日本電気株式会社
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八子 忠明
住友化学工業株式会社
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村尾 幸信
日本電気株式会社
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吉川 公磨
ULSIデバイス開発研究所
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上野 和良
Nec・ulsiデバイス開発研究所
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岸田 俊二
日本電気(株)材料部品分析評価センター
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大音 光市
NEC ULSIデバイス開発研究所
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菊田 邦子
NEC ULSIデバイス開発研究所
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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恒成 欣嗣
NEC
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吉川 公磨
NEC
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菊田 邦子
Nec Ulsi デバイス開発研究所
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恒成 欣嗣
日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部
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上野 和良
日本電気ULSIデバイス開発 研究所高集積技術開発部
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大音 光市
日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部
著作論文
- 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
- セルフアラインプラグを有する0.25μm埋め込み配線
- 微細Cu溝配線技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 超LSI製造における計測技術
- MOCVD-TiNバリヤ膜を用いたCu溝配線